Qorvo資料——《氮化鎵射頻技術For Dummies》——無論您是電氣設計和氮化鎵技術的新手，還是希望在設計中使用氮化鎵技術的經驗老道的設計工程師，您都將發現本書有所幫助。本書各章自成一體，如果您喜歡，您可以跳讀。如果你熟悉一章的論題，可以直接跳過。我們在本書的其他章節提供交叉索引，所以您總能找到自己想要的東西。

1.HEG001D型1.2~1.4GHz 20W高效GaN微波功率模塊的特性是什么？
答案：
性能特點：(1)可覆蓋工作頻帶范圍：1.2 ~ 1.4GHz；(2)良好的50歐姆阻抗匹配，易級聯使用；(3)采用標準QF92-4金屬功率管殼封裝；(4)滿足軍溫工作條件：-55攝氏度 ~ +85攝氏度。
電性能表：工作條件：50歐姆測試系統，Vd=28V, Vg=-5V;（典型測試條件：連續波）
性能參數    單位      規范值     典型值
工作頻帶     GHz    1.2 ~ 1.4      --
輸出功率     dBm    >=43           43
功率平坦度   dB     <=0.8          0.5
功率增益     dB     >=11           11
附加效率     --     >=60%          62%

極限參數：電源電壓：漏源+35V；柵源-10V
耗散功率(TA=25攝氏度)：15W
存儲溫度范圍：-65  ~ +150 攝氏度
工作溫度范圍：-55 ~ +85 攝氏度

2.氮化鎵（GaN）的熔點為多少？
答案：GaN是極穩定的化合物，又是堅硬的高熔點材料，熔點約為1700℃。

3.碳化硅基氮化鎵在射頻應用中脫穎而出的原因是什么？
答案：
(1) 高擊穿電場：由于氮化鎵擁有大能隙，因此氮化鎵材料也擁有高擊穿電場，所以氮化鎵器件的工作電壓可以遠高于其他半導體器件。
當受到足夠高的電場影響時，半導體中的電子能夠獲得足夠動能并脫離化學鍵（這一過程被稱為“碰撞電離”或“電壓擊穿”）。
如果碰撞電離沒有得到控制，則能夠造成器件性能退化。由于氮化鎵能夠在較高電壓下工作，因此能夠用于較高功率的應用。
(2) 高飽和速度：氮化鎵的電子擁有高飽和速度（非常高的電場下的電子速度）。當結合大電荷能力時，這意味著氮化鎵器件能夠提供高得多的電流密度。
射頻功率輸出時電壓與電流擺幅的乘積，所以，電壓越高，電流密度越大，在實際尺寸的晶體管中產生的射頻功率越大。簡單而言，氮化鎵器件產生的功率密度要高得多。
(3) 突出的熱屬性：碳化硅基氮化鎵表現出不同一般的熱屬性，這主要因為碳化硅的高導熱。具體而言，這意味著在功率相同的情況下，碳化硅基氮化鎵器件的溫度不會變的像砷化鎵器件或硅器件那樣高。器件溫度越低才越可靠。

4.氮化鎵的縱向半導體結構包括哪些？
答案：縱向半導體結構包括：柵；勢壘層；溝道；緩沖層；襯底。

 

 

 

Qorvo-氮化鎵射頻技術For Dummies

來源： http://rf.eefocus.com/module/forum/thread-590299-1-1.html?wz